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一、样品要求
1. 粉末样品至少5微米以上尺寸，且无磁性；薄膜/块体样品最大不超过2cm，高度不超过5mm，可以有磁性；强磁样品的尽量让尺寸更小；
2. 送样前，需在SEM电镜下确认好样品满足FIB的要求；
3. 包样样品加工成品大小一般不超过长度5μm*深度5μm；如果样品需要加工更大尺寸，需要下单前联系我们进行评估和议价；
4.样品要求导电性良好，如果导电性比较差的话需要进行喷金或喷碳处理。
二、项目简介
聚焦离子束技术（FIB）：
聚焦离子束技术（Focused Ion beam，FIB）是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材料表面，实现材料的剥离、沉积、注入、切割和改性。
FIB利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，配合扫描电镜（SEM）等高倍数电子显微镜实时观察，成为了纳米级分析、制造的主要方法。
可提供的服务：
TEM透射样品制备：对于表面薄膜、涂层、粉末大颗粒，块体等样品，在指定位置准确定位切割进行TEM样品的制备；
SEM/EDS剖面分析：FIB准确定位切割，制备截面样品，进行SEM和EDS能谱分析；
EBSD电子背散射衍射分析：进行晶体取向成像、显微织构、界面等分析；
微纳结构加工：在微纳结构操作机械手、Omniprobe操作探针、离子束切割等的配合下，进行各种微纳结构的搬运、各种显微结构形状或图案的加工。
三、常见问题
（1）FIB-SEM:FIB制备微米级样品截面，进行SEM和能谱测试。样品尺度要求2-30μm，通常切样面直径不超过10μm。
（2）FIB-TEM:FIB制备满足透射电镜的 TEM截面样品。样品包括：薄膜、块体样品，微米级颗粒。样品种类：陶瓷、金属等。
Q2、FIB制样可能引入的杂质？
W、C、Ga，其中W、C是为了保护减薄区域，Ga是离子源。如果样品不导电可能喷Au或者喷Pt，从而引入这两种元素。
样品是在SEM电镜下进行操作，需要清晰观察到样品形貌，否则无法精准制样。
1）找到目标位置（定位非常重要），表面喷Pt保护（样品导电则不用喷Pt）；
2）将目标位置前后两侧的样品挖空，剩下目标区域后进行U-cut；
3）通过Easylift将这个薄片取出，将样品焊到铜网上的样品柱上，标注好样品位置；
4）减薄到理想厚度后停止。